امریکی ٹیک کمپنی آئی بی ایم نے دنیا کی پہلی سب وَن نینو میٹر (این ایم) چپ ٹیکنالوجی کی نقاب کشائی کی، جو سیمی کنڈکٹر انڈسٹری کے لیے ایک اہم سنگ میل ہے۔

امریکی ٹیک کمپنی آئی بی ایم نے جمعرات کو دنیا کی پہلی سب وَن  نینو میٹر (این ایم) چپ ٹیکنالوجی کی نقاب کشائی کی، جو سیمی کنڈکٹر انڈسٹری کے لیے ایک اہم سنگ میل ہے کیونکہ روایتی چپ ٹیکنالوجی اب اپنی جسمانی حدوں کے قریب پہنچ رہی ہے۔
کمپنی کے مطابق یہ نئی چپ ۷ء۰؍ نینو میٹر (۷؍ اینگسٹروم) پروسیس نوڈ پر مبنی ہے اور اس میں نینو اسٹیک  نامی نئے ۳؍ جہتی ٹرانزسٹر فن تعمیر کا استعمال کیا گیا ہے۔ آئی بی ایم نے کہا کہ نئی چپ ایٹمی پیمانے پر بھی بہتر کارکردگی اور توانائی کی کارکردگی کو برقرار رکھنے کی صلاحیت رکھتی ہے۔اس چپ میں تقریباً۱۰۰؍ بلین ٹرانجسٹرز لگے ہوئے ہیں جبکہ یہ ایک عام ناخن کے سائز کے ہوتے ہیں۔ یہ ۲۰۲۱ء میں متعارف کرائی گئی  آئی بی ایم کی ۲؍ نینو میٹر چپ ٹیکنالوجی کے مقابلے میں تقریباً دو گنا ٹرانزسٹر کثافت پیش کرتا ہے۔

یہ بھی پڑھئے:نیمار جونیئر ۹۸۱؍ دن بعد ٹیم میں واپسی پر رو پڑے

کمپنی کا دعویٰ ہے کہ نئی ٹیکنالوجی ۵۰؍ فیصد تک بہتر کارکردگی یا ۲؍نینو میٹر چپس کے مقابلے میں ۷۰؍ فیصد زیادہ توانائی فراہم کر سکتی ہے۔ اس ٹیکنالوجی کو مستقبل کی اعلیٰ کارکردگی والی ٹیکنالوجیز جیسے جنریٹو اے آئی ، کلاؤڈ انفراسٹرکچر، اور اگلی نسل کے الیکٹرانک آلات میں استعمال کیا جا سکتا ہے۔آئی بی ایم  ریسرچ کے ڈائریکٹر اور آئی بی ایم  فیلو جے گیمبیٹا نے کہا کہ یہ کامیابی کمپیوٹنگ میں ایک تاریخی لمحہ ہے۔
انہوں نے کہاکہ آئی بی ایم کی یہ نئی چپ ٹیکنالوجی ایک اہم پیش رفت ہے، جو کمپیوٹنگ کو نینو میٹر کے دور سے آگے لے کر جوہری سطح تک پہنچ گئی ہے۔کمپنی کے مطابق نانواسٹاک فن تعمیر میں ٹرانزسٹروں کو ایک دوسرے کے اوپر اور مختلف سطحوں پر ترتیب دیا جاتا ہے۔ یہ ایک ہی چپ پر بڑی تعداد میں ٹرانجسٹروں کو رکھنے کی اجازت دیتا ہے۔ مزید برآں، مختلف مواد کو مختلف طریقے سے بہتر بنایا جا سکتا ہے، کارکردگی اور توانائی کی کارکردگی دونوں کو بہتر بناتا ہے۔

یہ بھی پڑھئے:پرینکا چوپڑہ کا ماننا ہے کہ ہالی ووڈ میں اُن کی کامیابیاں بالی ووڈ کے مقابلے میں اب بھی کم ہیں

آئی بی ایم کے محققین نے یہ بھی ظاہر کیا کہ نانواسٹاک ٹیکنالوجی SRAM اسکیلنگ کو نمایاں طور پر بہتر بنا سکتی ہے۔اس سے چپ ڈیزائنرز کو زیادہ موثر اور طاقت سے چلنے والے پروسیسرز بنانے میں مدد ملے گی جواے آئی  پر مبنی ہیوی ڈیٹا پروسیسنگ اور ہائی بینڈ وڈتھ کے کام کے بوجھ کو آسانی سے سنبھال سکتے ہیں۔ کمپنی کا اندازہ ہے کہ اس ٹیکنالوجی کا پہلا تجارتی استعمال اگلے پانچ سالوں میں شروع ہو سکتا ہے۔ آئی بی ایم نے بتایا کہ یہ تحقیق البانی، نیویارک میں اس کے سیمی کنڈکٹر ریسرچ سینٹر میں کی گئی۔ ماہرین کا خیال ہے کہ آئی بی ایم کی یہ نئی ٹیکنالوجی آنے والے سالوں میں چپ بنانے والی صنعت کو بدل سکتی ہے۔ یہ زیادہ طاقتور، تیز، اور توانائی کی بچت کرنے والے اے آئی سسٹمز، کلاؤڈ سرورز، اور سمارٹ الیکٹرانک آلات کی ترقی کے قابل بنائے گا۔